IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的首字母縮寫。它被歸類為晶體管領域的功率半導體器件。IGBT能夠為廣泛的高電壓和高電流應用實現更高的效率和節能。

一、功率半導體器件特性與IGBT的比較：

在功率半導體器件（晶體管領域）中，除IGBT外，還有主要用作半導體開關的MOSFET和雙極型。在開關速度方面，雙極性類型適用于中速，而MOSFET支持高頻范圍。IGBT是一種雙極器件，利用了電子和空穴兩種類型的載流子，這是由于輸入塊和雙極性輸出具有MOSFET結構的復雜配置，使其成為可以實現低飽和電壓（類似于低導通電阻MOSFET）的晶體管，具有相對快速的開關特性。然而，盡管它具有相對快速的開關特性，但它們仍然不如功率MOSFET，使其成為IGBT的缺點。

二、IGBT應用范圍：

1．功率半導體適用范圍：

功率半導體包括組合由元件單元及其基本部件組成的分立元件的模塊。

這同樣適用于IGBT（絕緣柵雙極晶體管），它由器件和模塊組成，每個器件和模塊都有最佳范圍。

下圖顯示了功率半導體（主要是IGBT）在開關（工作）頻率和輸出容量方面的應用范圍。

2．IGBT應用范圍：

IGBT是一種功率半導體，用于從汽車和工業設備到消費類設備的各種應用。HEV/EV中的高輸出三相電機控制逆變器、IH等家用電器的諧振電路以及UPS和工業電源中的升壓控制也越來越多地采用。