晶體管具有放大和切換電信號的功能。在無線電的情況下，通過空氣傳輸的極弱信號在通過揚聲器播放之前被放大（放大）。這是晶體管的放大作用。晶體管還充當開關，僅在預定信號到達時工作。IC 或 LSI 是提供晶體管基本功能的晶體管集合。

一、晶體管作為開關：

一旦向晶體管的基極施加電壓（約0.7V或更高），就會有小電流流動，導致晶體管導通，電流在集電極和發射極之間流動。相反，當施加到基極的電壓較低（小于0.7V）時，集電極和發射極關閉，它們之間沒有電流流動。切換晶體管就像使用基極作為開關打開和關閉從集電極到發射極的電流。

二、晶體管作為放大器：

讓我們將晶體管的功能與供水的機制進行比較。晶體管由三個支腿組成，底座是水龍頭，發射極是水龍頭，集電極是水箱。通過用很小的力控制水龍頭（向底座輸入信號），大量的水從水箱（收集器）流向水龍頭（發射器）......使用這個類比使晶體管操作更容易理解。

現在，讓我們仔細看看使用圖1和圖2的晶體管放大原理。電流 （IC） h鐵* 乘以電流 （IB） 與基極-發射極電壓 （V ） 成比例是） 由輸入電壓 E 和偏置電壓 E 產生1流經收集器。此集電極電流 IC流過電阻器 RL，電壓為 ICY SL出現在電阻R的兩端L.最終，輸入電壓e被轉換（放大）為電壓ICRL，顯示在輸出中。

三、晶體管機制：

晶體管由PN結組成，當電流施加到基極時，電流在集電極和發射極之間流動。在這里，我們將以NPN晶體管為例來解釋其工作原理。當正向電壓（V是）施加在基極和發射極之間，發射極中的電子（-電荷）流入基極，其中一些與空穴（+電荷）結合，導致極小的基極電流（IB)。由于基座（P型半導體）結構很薄，許多從發射極流入基座的電子逃逸到收集器。集電極-發射極電壓（V行政長官） 感應電子（電荷）向集電極移動，產生集電極電流 IC.

四、NPN 和 PNP 晶體管：

晶體管有兩種主要類型：NPN和PNP。從右圖可以看出，區別在于集電極端子是在電路中吸收電流還是在傳輸電流。當想要通過輸入信號進行切換時，使用具有共發極的NPN類型。另一方面，使用電源側進行控制時，使用PNP類型是標準的。NPN型載流子是電子，而PNP載流子是空穴（+電荷）。在PNP類型中，施加電壓使發射極為正，基極為負，導致發射極中的孔流入基極，其中一些與基極中的電子結合形成小基極電流，其余的逃逸到集電極成為集電極電流。

五、晶體管的歷史：

1. 1948年在貝爾電話實驗室創建：

晶體管的發明對電子工業產生了深遠的影響，最初是在1948年開發的。這一刻標志著電子時代的到來。隨后的幾年見證了計算機和其他電子技術的快速發展。考慮到這一貢獻豐富了我們所有人的生活，三位發明家，物理學家W. Shockley，J. Bardeen和W. Brattain獲得諾貝爾獎也就不足為奇了。我想知道未來是否會有任何可以與晶體管相媲美的發明......無論如何，很明顯，晶體管對現代世界產生了革命性的影響。

2. 從鍺到硅：

晶體管最初由一種叫做鍺的物質（半導體）制成。然而，鍺的缺點是在80°C左右分解，所以現在大部分都是硅。順便說一下，硅可以承受高達180°C左右的熱量。